Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 20А; 660Вт; TO268

Немає в наявності
Код товару: IXFT20N100P
804,61 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFT20N100P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 126нКл
Корпус: TO268
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 570мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 660Вт
Струм стока: 20А
Технологія: HiPerFET™; Polar™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 300нс
Недоступний
Резистор: thin film; 54,9кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В
Резистор: thin film; 54,9кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В

1,87 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Резистор: thick film; 8,06кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 8,06кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C

1,37 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 8; штекерний; промислова; 30В; прямий; IP67
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 8; штекерний; промислова; 30В; прямий; IP67

1429,30 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
гвинтовий затиск
Кількість пін:
8
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 10А; 10A/250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 10А; 10A/250ВAC

48,15 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
15000 цикли
Кількість пін:
4
Конструкція:
одна обмотка
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 120нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 120нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Запобіжник: полімерний PTC; THT; 400мА; Iмакс: 40А; ролик,cтрічка
Запобіжник: полімерний PTC; THT; 400мА; Iмакс: 40А; ролик,cтрічка

14,57 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Застосування запобіжників:
електронні додатки
Максимальна напруга:
72В; 90В
Максимальний струм:
40А
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 47мкФ; 6,3ВDC; Ø5x5,4мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 47мкФ; 6,3ВDC; Ø5x5,4мм; ±20%

3,51 грн

Висота:
5,4мм
Діаметр:
5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
47мкФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 95А; Idm: 378А; 64Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 95А; Idm: 378А; 64Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,1нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; Idm: 30А; 17Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; Idm: 30А; 17Вт; TO252

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
114,6нКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
167нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8

26,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD