Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 300В; 140А; 1040Вт; TO264

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFK140N30P
924,99 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFK140N30P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 185нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 300В
Опір в стані провідності: 24мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,04кВт
Струм стока: 140А
Технологія: HiPerFET™; Polar™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 200нс
Подовжувач осі приводу; TeSys VARIO; 400÷430мм
Подовжувач осі приводу; TeSys VARIO; 400÷430мм

932,59 грн

Довжина:
400...430мм
Серія виробника:
TeSys VARIO
Тип аксесуарів, що підключаються:
подовжувач осі приводу
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 17,5А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 17,5А

358,59 грн

Alias:
SCDV-THR 3.81/16/90F 3.2SN BK BX
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
25,9мм
Недоступний
Резистор: thick film; 12,4Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; 5000шт.
Резистор: thick film; 12,4Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; 5000шт.

0,09 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Connector: wire-board; plug; female; data; 125V; PIN: 4; 1.25mm; PBT
Connector: wire-board; plug; female; data; 125V; PIN: 4; 1.25mm; PBT

1,31 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Кількість пін:
4
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 2В; DO35; 2,5мкА; Ufmax: 1,1В; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 500мВт; 2В; DO35; 2,5мкА; Ufmax: 1,1В; ролик,cтрічка

281,93 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
2В
Корпус:
DO35
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2МОм; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,2МОм; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,37 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Опір:
2,2мОм
Недоступний
Резистор: thick film; 20мОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 20мОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷125°C

0,91 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1818,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3