Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 300В; 52А; 400Вт; TO268

Немає в наявності
Код товару: IXTT52N30P
397,87 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTT52N30P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 110нКл
Корпус: TO268
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 300В
Опір в стані провідності: 73мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 400Вт
Струм стока: 52А
Технологія: Polar™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 250нс
Недоступний
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 2А; Полюси: 2; Харкт: Z
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 2А; Полюси: 2; Харкт: Z

3430,69 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1; IEC EN 60947-2
Електрична стійкість:
20000 цикли
Кількість полюсів:
2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,1пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,1пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,1пФ
LED; білий холодний; прямокутна; 2x4x5мм; 500÷750мкд; 100°; 20мА
LED; білий холодний; прямокутна; 2x4x5мм; 500÷750мкд; 100°; 20мА

24,08 грн

Голівка:
плоске
Кількість виводів:
2
Колір діода LED:
білий холодний
Колірна температура:
8000-18000К
Недоступний
Резистор: thin film; 270Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 270Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 29,4Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 29,4Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,09 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
29,4Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thin film; 6,8кОм; 0805; 250мВт; ±0,1%; ARM-A; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 6,8кОм; 0805; 250мВт; ±0,1%; ARM-A; 25ppm/°C

2,14 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
6,8кОм
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD