Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 800В; 10А; 300Вт; TO247-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFH10N80P
378,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFH10N80P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 40нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 800В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 10А
Технологія: HiPerFET™; Polar™
Тип транзистора: N-MOSFET
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷4мм; 10÷30ВDC; M8; IP67; 200мА
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷4мм; 10÷30ВDC; M8; IP67; 200мА

1203,75 грн

Вид голівки:
неекранований
Дальність:
0...4мм
Загальна довжина:
60мм
Кількість пін:
3
Резистор: thin film; 732Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; 1x0,5x0,3мм
Резистор: thin film; 732Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; 1x0,5x0,3мм

25,98 грн

Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Опір:
732Ом
Резистор: thick film; 11кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 11кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C

1,07 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: Лазерний; 645÷660нм; 5мВт; 9/28; THT; 2,5÷6ВDC; червоний
Діод: Лазерний; 645÷660нм; 5мВт; 9/28; THT; 2,5÷6ВDC; червоний

345,29 грн

Важлива інформація:
Увага! Лазерне випромінювання! Дотримуйтесь правил безпеки. Не дивитися прямо в джерело лазерного світла.
Висота:
2,85мм
Діаметр підстави:
3,3мм
Довжина хвилі λd:
645...660нм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 250мА
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 250мА

1749,24 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
0,25А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Резистор: thin film; 634Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 634Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

7,92 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Резистор: thick film; 9,76кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 9,76кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; -55÷155°C

2,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; 700В; 6А; Idm: 12,8А; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 700В; 6А; Idm: 12,8А; TO220FP

43,97 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,8нКл
Корпус:
TO220FP
Напруга сток-джерело:
700В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 60В; 42А; 110Вт
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 60В; 42А; 110Вт

112,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 900В; 36А; Idm: 96А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; 900В; 36А; Idm: 96А; 417Вт; TO247

1141,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 500В; 3А; 45Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 500В; 3А; 45Вт; TO220-3

124,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 18А; 72Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 18А; 72Вт

87,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30,8А; 230Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30,8А; 230Вт; TO220AB

232,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 69Вт
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 69Вт

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
73нКл
Монтаж:
THT
Напруга сток-джерело:
100В