Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 800В; 40А; 625Вт; 250нс

Немає в наявності
Код товару: IXFL60N80P
1376,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFL60N80P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 250нКл
Корпус: ISOPLUS264™
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 0,15Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 625Вт
Струм стока: 40А
Технологія: HiPerFET™; Polar™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 250нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,3пФ
LED; жовтий; SMD; 1206; 900÷1125(тип)-2250мкд; 1,8÷2,4ВDC; 20°
LED; жовтий; SMD; 1206; 900÷1125(тип)-2250мкд; 1,8÷2,4ВDC; 20°

18,37 грн

Голівка:
опукла
Довжина хвилі λd:
585...595нм
Колір діода LED:
жовтий
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 40÷160ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 2,5А
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 40÷160ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 2,5А

1628,87 грн

Вид корпусу:
RSD-30
Використання:
залізнична галузь
Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
2,5А
Недоступний
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 6А; 3,8А; Igt: 15мА; DPAK; SMD
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 6А; 3,8А; Igt: 15мА; DPAK; SMD

40,55 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 41,2Ом; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 41,2Ом; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

1,28 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 91кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В
Резистор: thin film; 91кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В

1,87 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Вимикач двигуна; 3/4кВт; 230÷690ВAC; на шину DIN; IP20; -20÷60°C
Вимикач двигуна; 3/4кВт; 230÷690ВAC; на шину DIN; IP20; -20÷60°C

3501,65 грн

Діапазон налаштування захисту:
6...10А
Електричне під'єднування:
різьбові клеми
Клас герметичності:
IP20
Монтаж:
на шину DIN
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1828,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3