Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; польовий; 600В; 64А; 1130Вт; TO264

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFK64N60P3
1040,93 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFK64N60P3
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 145нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,13кВт
Струм стока: 64А
Технологія: HiPerFET™; Polar3™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 250нс
Недоступний
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 4; штекерний; промислова; 277В; поліамід
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 4; штекерний; промислова; 277В; поліамід

803,35 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
гвинтовий затиск
Зовнішній діаметр проводу:
5...7мм
Недоступний
Резистор: thick film; 3,4кОм; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,4кОм; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 51,1Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 51,1Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

11,47 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Недоступний
Резистор: thick film; 80,6кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; NQ; 75В
Резистор: thick film; 80,6кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; NQ; 75В

0,17 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 180мкФ; 25ВDC; Ø8x15мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 180мкФ; 25ВDC; Ø8x15мм

6,91 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
15мм
Властивості конденсаторів:
висока надійність; компактні розміри корпусу
Діаметр:
8мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; 0402

0,89 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,4пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 62Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; RK73B; 25В
Резистор: thick film; 62Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; RK73B; 25В

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 3А; Idm: 12А

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 15А; Idm: 60А

109,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 82А; Idm: 328А; 58Вт

107,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
168нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44,2А; Idm: 276А; 480Вт; TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 44,2А; Idm: 276А; 480Вт; TO3PN

219,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 8А; Idm: 16А; 150Вт; IPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 8А; Idm: 16А; 150Вт; IPAK

228,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
IPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 824А; 306Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 824А; 306Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
130нКл
Корпус:
SOT78; TO220AB