1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 100В; 200А; 800Вт; TO264

Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 100В; 200А; 800Вт; TO264
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTK200N10P
640,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTK200N10P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 240нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 7,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 800Вт
Струм стока: 200А
Технологія: PolarHT™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 100нс
Недоступний
Пуск.компл: з дисплеєм; LCD TFT; GEN4; 5ВDC; uC: DIABLO16; -20÷70°C
Пуск.компл: з дисплеєм; LCD TFT; GEN4; 5ВDC; uC: DIABLO16; -20÷70°C

0,00 грн

Вид вжитого дисплея:
LCD TFT
Властивості дисплеїв:
інтелігентний
Діагональ екрану:
2,8"
Інтерфейс:
GPIO; I2C x3; SPI x3
Недоступний
Резистор: thin film; 14кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 14кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

7,98 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 12,7Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 12,7Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%

10,96 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 768кОм; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 768кОм; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,09 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
768кОм
Недоступний
Резистор: thin film; 76,8Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 76,8Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%

32,12 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Uупр: 4÷32ВDC; 30А; 48÷660ВAC
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Uупр: 4÷32ВDC; 30А; 48÷660ВAC

6746,71 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Вид виходу:
MOSFET
Зовнішні розміри:
3,2x98x3,9мм
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Резистор: thin film; 9,88кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 9,88кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

21,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

1306,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
269нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC

204,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247AC
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD

236,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD