Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 100В; 75А; 360Вт; TO220AB

Немає в наявності
Код товару: IXTP75N10P
212,87 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTP75N10P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 74нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 360Вт
Струм стока: 75А
Технологія: PolarHT™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 120нс
Недоступний
Стрічка FFC; луджений; 500мА; 60В; FFC5-TIN; Р.стрічки: 0,5мм
Стрічка FFC; луджений; 500мА; 60В; FFC5-TIN; Р.стрічки: 0,5мм

33,71 грн

Властивості з’єднувального кабелю:
контакти з протилежного боку
Довжина:
50мм
Номінальна напруга:
60В
Номінальний струм:
0,5А
Недоступний
Резистор: thick film; 1,2Ом; SMD; 1206; 1Вт; ±5%; SG73P; 200В
Резистор: thick film; 1,2Ом; SMD; 1206; 1Вт; ±5%; SG73P; 200В

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 36,5Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 36,5Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В

29,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Корпус - мм:
1267
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 4,5ВDC; DPDT; 2А; 0,5A/125ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 4,5ВDC; DPDT; 2А; 0,5A/125ВAC

182,46 грн

Зовнішні розміри:
10x6x5,65мм
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
2А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,7пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,7пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

6,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,7пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 110Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 110Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
10000шт.
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 25В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 25В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201

0,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1828,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3