1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 200В; 50А; 360Вт; TO3P

Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 200В; 50А; 360Вт; TO3P
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTQ50N20P
338,95 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTQ50N20P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 70нКл
Корпус: TO3P
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 60мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 360Вт
Струм стока: 50А
Технологія: PolarHT™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 150нс
Недоступний
Перехідник різьблення для обтисків; M12; M20; нержавіюча сталь
Перехідник різьблення для обтисків; M12; M20; нержавіюча сталь

810,95 грн

Відповідність стандарту:
II 2G Ex db eb IIC Gb / II 1D Ex ta IIIC Da
Внутрішня різьба:
M12
Зовнішня різьба:
M20
Клас герметичності:
IP68
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 40; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 40; SMT; straight

132,41 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
9,1мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,5пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,5пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,5пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 5,11Ом; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,11Ом; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
5,11Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 56кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 56кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C

2,90 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0603

0,58 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
IC: цифровий; конвертер,послідовний вхід,паралельний вихід
IC: цифровий; конвертер,послідовний вхід,паралельний вихід

262,92 грн

Вид об'єднаної схеми:
конвертер; паралельний вихід; послідовний вхід
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
8
Корпус:
SOW20
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт

648,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 156Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 156Вт

273,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
29,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 214А; Idm: 856А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 214А; Idm: 856А; 333Вт

301,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 19А; Idm: 53А; 142Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 19А; Idm: 53А; 142Вт; TO220-3

254,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 133А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 133А; 200Вт; TO220AB

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; TO220AB

89,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44,7нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 231А; 465Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 231А; 465Вт

853,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
0,22мкКл