Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 250В; 100А; 600Вт; TO3P

Немає в наявності
Код товару: IXTQ100N25P
587,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXTQ100N25P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 185нКл
Корпус: TO3P
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 27мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 600Вт
Струм стока: 100А
Технологія: PolarHT™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 200нс
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 0÷2мм; 12÷24ВDC; M8; IP67; 200мА
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 0÷2мм; 12÷24ВDC; M8; IP67; 200мА

3057,53 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...2мм
Загальна довжина:
39мм
Кількість пін:
3
Недоступний
Резистор: thin film; 576Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 576Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%

24,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Резистор: thick film; 1,87кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,87кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

2,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 22,9кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 22,9кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

10,20 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Мікроперемикач SNAP ACTION; 6A/250ВAC; без важеля; SPDT; ON-(ON)
Мікроперемикач SNAP ACTION; 6A/250ВAC; без важеля; SPDT; ON-(ON)

155,22 грн

Виводи:
конектори
Властивості перемикачів:
без важеля
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 0603; 330мВт; ±5%; ERJPA3J
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 0603; 330мВт; ±5%; ERJPA3J

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 3,32Ом; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,32Ом; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,45 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Опір:
3,32Ом
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1500В; 1,6А; 140Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1500В; 1,6А; 140Вт; TO220-3

241,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 700В; 6А; Idm: 12,8А; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 700В; 6А; Idm: 12,8А; TO220FP

43,97 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,8нКл
Корпус:
TO220FP
Напруга сток-джерело:
700В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 100В; 66А; 300Вт
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 100В; 66А; 300Вт

136,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 900В; 36А; Idm: 96А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; 900В; 36А; Idm: 96А; 417Вт; TO247

1141,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4,4А; 125Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4,4А; 125Вт; TO220-3; ESD

163,46 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 18А; 72Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 18А; 72Вт

87,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 3,65А; 140Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 3,65А; 140Вт; TO247

181,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT