1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 250В; 82А; 500Вт; TO3P

Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 250В; 82А; 500Вт; TO3P
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTQ82N25P
575,90 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTQ82N25P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 142нКл
Корпус: TO3P
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 38мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 500Вт
Струм стока: 82А
Технологія: PolarHT™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 200нс
Недоступний
Кінцевий датчик; осердя; NO; 10А; PG11; IP40; 84x46x40мм; -25÷70°C
Кінцевий датчик; осердя; NO; 10А; PG11; IP40; 84x46x40мм; -25÷70°C

1765,71 грн

Вид головки:
осердя
Кількість монтажних отворів:
4
Клас герметичності:
IP40
Конфігурація виходу:
NO
Недоступний
IC: цифровий потенціометр; I2C; 5кОм; 8бит; TSSOP20; SMD; Ch: 4; туба
IC: цифровий потенціометр; I2C; 5кОм; 8бит; TSSOP20; SMD; Ch: 4; туба

125,44 грн

Max DNL:
±0,5LSB
Max INL:
±1LSB
Вид пам’яті:
енергонезалежний
Вид упаковки:
туба
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 4,7мкФ; 50ВDC; SMD; C; 2312; ±20%; TAJ
Конденсатор: танталовий; 4,7мкФ; 50ВDC; SMD; C; 2312; ±20%; TAJ

53,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±20%
Ємність:
4,7мкФ
Корпус:
C
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

17,74 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
1нФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: гибридний; H: 9,5мм; 47мкФ; 50ВDC; 1,25А; THT; ZC-A
Конденсатор: гибридний; H: 9,5мм; 47мкФ; 50ВDC; 1,25А; THT; ZC-A

35,16 грн

Висота:
9,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Властивості конденсаторів:
висока довговічність; підвищена температура пайки
Діаметр:
8мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,9пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,9пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

2,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,9пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 13,7кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2APB
Резистор: thin film; 13,7кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2APB

11,09 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

1306,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
269нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC

204,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247AC
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD

236,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD