Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 300В; 88А; 600Вт; TO264

Немає в наявності
Код товару: IXTK88N30P
620,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXTK88N30P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 180нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 300В
Опір в стані провідності: 40мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 600Вт
Струм стока: 88А
Технологія: PolarHT™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 250нс
Перемикач: антивандальний; Поз: 2; SPST-NO; 300мA/24ВDC; IP65
Перемикач: антивандальний; Поз: 2; SPST-NO; 300мA/24ВDC; IP65

545,49 грн

Виводи:
проводи
Властивості перемикачів:
безконтактний
Дальність:
20...150мм
Довжина відводів:
1,2м
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 40МГц; 2÷3,6ВDC; SMD; TQFP80; PIC18; лоток
IC: мікроконтролер PIC; 40МГц; 2÷3,6ВDC; SMD; TQFP80; PIC18; лоток

256,59 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CCP x2; PoR; watchdog
Інтерфейс:
A/E/USART x2; I2C - Master; LIN; MSSP x2; RS232; RS485; SPI
Недоступний
Резистор: thick film; 487кОм; SMD; 1020; 1,5Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 487кОм; SMD; 1020; 1,5Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

1,27 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 500В; 3А; 27Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 500В; 3А; 27Вт; TO220FP

35,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10А; Idm: 40А; 48Вт; TO220F

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 100А; Idm: 300А; 550Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 100А; Idm: 300А; 550Вт

1215,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
236нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт

829,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
287нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 139А; Idm: 818А; 214Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 139А; Idm: 818А; 214Вт

302,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 43А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 43А; 200Вт; TO220AB

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
133,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,1А; Idm: 13А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,1А; Idm: 13А; 50Вт; TO220AB

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO220AB