Транзистор: N-MOSFET; PolarHV™; польовий; 500В; 37А; 300Вт; 200нс

Немає в наявності
Код товару: IXFR64N50P
807,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFR64N50P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 150нКл
Корпус: ISOPLUS247™
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 95мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 37А
Технологія: HiPerFET™; PolarHV™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 200нс
Недоступний
Резистор: thick film; 1,27кОм; SMD; 0603; 62,5мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 1,27кОм; SMD; 0603; 62,5мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Connector: pin strips; data; PIN: 45; THT; 3A; vertical; 2.54mm
Connector: pin strips; data; PIN: 45; THT; 3A; vertical; 2.54mm

229,98 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
45
Клас горючості:
UL94V-0
Резистор: thick film; 232Ом; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 232Ом; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF; 100ppm/°C

5,70 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 3,65кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73R; 50В
Резистор: thin film; 3,65кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73R; 50В

1,03 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; SPDT; 0,5A/250ВAC; 1A/24ВDC; ON-ON
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; SPDT; 0,5A/250ВAC; 1A/24ВDC; ON-ON

104,54 грн

Виводи:
до лютування
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
2
Клас герметичності:
IP40
Недоступний
Резистор: thin film; 37,9кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 37,9кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 4,99кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 4,99кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%

6,78 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

1306,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
269нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC

204,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247AC
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD

236,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD