Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 1А; 63Вт; TO220AB; 900нс

Немає в наявності
Код товару: IXTP1N120P
333,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTP1N120P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 20Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 63Вт
Струм стока: 1А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 900нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,42 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,6пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 2,77кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RN73R; 75В
Резистор: thin film; 2,77кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RN73R; 75В

1,04 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 2А; DIP24
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 2А; DIP24

4248,61 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
2А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; мінімальна напруга UVP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Connector: pin strips; data; PIN: 96; THT; 3A; vertical; 2.54mm
Connector: pin strips; data; PIN: 96; THT; 3A; vertical; 2.54mm

437,15 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
96
Клас горючості:
UL94V-0
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C

1,06 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Резистор: thick film; 8,66кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 8,66кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; AC; -55÷155°C

0,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1x0,5мм
Корпус - дюйм:
0402
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷2мм; 12÷24ВDC; M12; 2м; IP68
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷2мм; 12÷24ВDC; M12; 2м; IP68

2169,29 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...2мм
Довжина відводів:
2м
Загальна довжина:
53мм
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1828,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3