Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 9А; 300Вт; TO247

Немає в наявності
Код товару: APT1201R4BFLLG
1614,93 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT1201R4BFLLG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 75нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 1,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 9А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип транзистора: N-MOSFET
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний; MX150; PIN: 12; прямий
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний; MX150; PIN: 12; прямий

174,86 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
12
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 3A; 250V

193,23 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 110В; DO35; 50нА; Ufmax: 1,4В
Діод: зенера; 500мВт; 110В; DO35; 50нА; Ufmax: 1,4В

397,87 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
110В
Корпус:
DO35
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 2,55Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 2,55Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

20,27 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
IC: FPGA; SMD; Число макровічок: 56340; лоток
IC: FPGA; SMD; Число макровічок: 56340; лоток

9298,67 грн

Вид упаковки:
лоток
Монтаж:
SMD
Тип інтегральної мікросхеми:
FPGA
Число макровічок:
56340
Недоступний
Модуль автоматики: регулятор; температура; -1999÷9999; SPST-NO
Модуль автоматики: регулятор; температура; -1999÷9999; SPST-NO

13818,44 грн

Виводи:
самозажимна клемма
Вид вжитого дисплея:
LCD
Вид виходу 1:
SPST-NO
Вид датчика температури:
JPt100; Pt100; термопара B; термопара C; термопара E; термопара J; термопара K; термопара L; термопара N; термопара PLII; термопара R; термопара S; термопара T; термопара U
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 77,8÷86В; 5,3А; двоспрямована; SMB; SMBJ
Діод: TVS; 0,6кВт; 77,8÷86В; 5,3А; двоспрямована; SMB; SMBJ

19,64 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
70В
Корпус:
SMB
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1818,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3