Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 9А; 300Вт; TO247

Немає в наявності
Код товару: APT1201R4BFLLG
1624,43 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT1201R4BFLLG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 75нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 1,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 9А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип транзистора: N-MOSFET
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; I2C x2,IrDA,LIN,SPI x2,UART x4
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; I2C x2,IrDA,LIN,SPI x2,UART x4

237,58 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
CRC; DMA; EPMP; PPS
Генератор вбудований:
32кГц; 8МГц
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 23; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 23; THT; 3A; 250V

166,62 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,1А; 30Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,1А; 30Вт; TO220AB

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
TO220AB
Резистор: thick film; 200Ом; 0402; 63мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 200Ом; 0402; 63мВт; ±5%; -55÷155°C

0,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD

2,83 грн

Alias:
KGM21BCG2A681FT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Мережевий вимикач; uWiFi; у корпусі,для вбудованого монтажу
Мережевий вимикач; uWiFi; у корпусі,для вбудованого монтажу

1496,45 грн

Вид модуля:
безпровідний
Використання:
1-фазні двигуни; для трансформаторів; персональний комп'ютер; управління підсвіткою LED; управління сервоприводами
Вихід:
реле
Додаткові функції:
управління за допомогою стільникового телефону
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; PUR
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; PUR

5976,31 грн

Довжина проводу:
6м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

446,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29,7нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP

110,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
114нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

800,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
106нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247