Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,15А; Idm: 0,77А; 0,5Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSS123NH6327XTSA1
15,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSS123NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 0,6нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 10Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: 0,15А
Струм стоку в імпульсі: 0,77А
Технологія: OptiMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 34; THT; straight
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 34; THT; straight

108,97 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
34
Недоступний
Суперконденсатор; SNAP-IN; 120Ф; 3ВDC; -10÷30%; Ø22x45мм; 12мОм
Суперконденсатор; SNAP-IN; 120Ф; 3ВDC; -10÷30%; Ø22x45мм; 12мОм

171,69 грн

Висота:
45мм
Діаметр:
22мм
Допуск:
-10...30%
Ємність:
120Ф
Недоступний
Резистор: thick film; 2,37кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D
Резистор: thick film; 2,37кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D

2,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 600мА
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 600мА

2954,89 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0,6А
Вхідна напруга:
4,5...9В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Резистор: thin film; 1,47кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; TFR
Резистор: thin film; 1,47кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; TFR

17,61 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 422Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 422Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

34,85 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 32МГц; 1,8÷3,6ВDC; SMD; SSOP28; PIC24
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 32МГц; 1,8÷3,6ВDC; SMD; SSOP28; PIC24

126,71 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); HLVD; PoR; watchdog
Інтерфейс:
I2C; IrDA; LIN; PWM; RS232; RS485; SPI; UART
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK

171,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8

15,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
28,4нКл
Корпус:
PowerDI3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA

336,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
10,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В