1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,96А; Idm: 12А; 3,1Вт; SOT223

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,96А; Idm: 12А; 3,1Вт; SOT223
Немає в наявності
Код товару: IRFL110TRPBF-BE3
13,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IRFL110TRPBF-BE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 8,3нКл
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 0,54Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,1Вт
Струм стока: 0,96А
Струм стоку в імпульсі: 12А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
EMobility: з'єднувач; однофазний; Тип 2 "мама"; 32А; білий; вилка
EMobility: з'єднувач; однофазний; Тип 2 "мама"; 32А; білий; вилка

2622,28 грн

Використання:
зарядка електромобілів
Відповідність стандарту:
IEC 62196-2
Колір:
білий
Конструкція кабелю/переходу:
Тип 2 "мама"
Діод: перемикальний; SMD; 100В; 0,15А; 4нс; SOT23; Ufmax: 1В; 350мВт
Діод: перемикальний; SMD; 100В; 0,15А; 4нс; SOT23; Ufmax: 1В; 350мВт

3,01 грн

Вид упаковки:
ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
мало сигнальний; швидке перемикання
Ємність:
4пФ
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Недоступний
Резистор: thick film; 10МОм; SMD; 0603; 62,5мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 10МОм; SMD; 0603; 62,5мВт; ±1%; CQ; 75В

0,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 130мОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 130мОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В

0,67 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Корпус для з’єднувачів: HDC; для проводу; EMC; кутовий; IP68; PG16
Корпус для з’єднувачів: HDC; для проводу; EMC; кутовий; IP68; PG16

1220,86 грн

Клас герметичності:
IP68
Механічний монтаж:
для проводу
Модель роз’єму:
EMC
Просторова орієнтація:
кутовий
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1МОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,1МОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,52 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
5,1мОм
Недоступний
Реле: електромагнітнe; 110ВDC; 3PDT; Iконтактів max: 10А; 1,3Вт
Реле: електромагнітнe; 110ВDC; 3PDT; Iконтактів max: 10А; 1,3Вт

3516,86 грн

Конфігурація контактів:
3PDT
Макс. струм контактів:
10А
Матеріал контакту:
AgNi/Au 5мкм
Модель реле:
промисловe
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23,TO236AB

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,49нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 5,6А; 2Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 5,6А; 2Вт; SOT223

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 53Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 53Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм

79,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 77Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 77Вт; VSONP8; 5x6мм

122,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 14,4А; 20,2Вт; WSON6; 2x2мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 14,4А; 20,2Вт; WSON6; 2x2мм

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
WSON6
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

176,76 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,5А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,5А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD