1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BXT2800N10M
5,70 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BXT2800N10M
Виробник: BRIDGELUX
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: SOT23-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 0,31Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,8Вт
Струм стока: 1,4А
Струм стоку в імпульсі: 8,8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; THT; 1.5A

516,35 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 74; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 74; THT; 3A; 100V

514,45 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 20Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 20Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

79,83 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 144÷159В; 1,9А; односпрямована; SMA; SMAJ
Діод: TVS; 0,4кВт; 144÷159В; 1,9А; односпрямована; SMA; SMAJ

3,80 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
130В
Корпус:
SMA
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD

7,38 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 64кБSRAM,256кБFLASH; LQFP64; KINETIS
IC: мікроконтролер ARM; 64кБSRAM,256кБFLASH; LQFP64; KINETIS

281,93 грн

Вид архітектури:
Cortex M4F
Інтерфейс:
16bit SPI; FlexCAN x2; I2C; UART x2
Кількість входів/виходів:
58
Корпус:
LQFP64
Недоступний
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; -55÷155°C

1,36 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK