Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSP373NH6327XTSA1
53,22 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSP373NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 0,24Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,8Вт
Струм стока: 1,8А
Технологія: OptiMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 1000мкФ; 10ВDC; Ø10x10,2мм
Конденсатор: електролітичний; SMD; 1000мкФ; 10ВDC; Ø10x10,2мм

17,49 грн

Висота:
10,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 1000кБ; 200МГц; SMD; LFBGA169; PIC32
IC: мікроконтролер PIC; 1000кБ; 200МГц; SMD; LFBGA169; PIC32

1052,97 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; HLVD; PMP; PoR
Інтерфейс:
I2C; I2C x5; IrDA; SPI; UART; UART x6; USART
Кількість входів/виходів:
120
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 16кБSRAM,64кБFLASH; LQFP48; 1,71÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер ARM; 16кБSRAM,64кБFLASH; LQFP48; 1,71÷3,6ВDC

129,24 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Інтерфейс:
I2C; SPI; UART x2
Кількість входів/виходів:
35
Корпус:
LQFP48
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 4кбEEPROM; SPI; 512x8бит; 1,8÷5,5В; 10МГц; туба
IC: пам'ять EEPROM; 4кбEEPROM; SPI; 512x8бит; 1,8÷5,5В; 10МГц; туба

32,31 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Кількість циклів макс.:
1м
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; 5кВ; CTR@If: 50-600%@5mA
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; 5кВ; CTR@If: 50-600%@5mA

39,28 грн

CTR@If:
50-600%@5mA
Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
туба
Відповідність стандарту:
VDE
Nails; Ø: 1.2mm; L: 30mm; galvanised steel; 4200pcs.
Nails; Ø: 1.2mm; L: 30mm; galvanised steel; 4200pcs.

998,48 грн

Діаметр:
1,2мм
Довжина:
30мм
Кількість в наборі/упаковці:
4200шт.
Матеріал:
оцинкована сталь
Резистор: thick film; 100Ом; 0603; 250мВт; ±5%; SR; -55÷155°C
Резистор: thick film; 100Ом; 0603; 250мВт; ±5%; SR; -55÷155°C

1,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3