1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 125Вт; VSONP8; 5x6мм

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 125Вт; VSONP8; 5x6мм
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: CSD19531Q5AT
159,02 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CSD19531Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 37нКл
Корпус: VSONP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 5,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Розміри: 5x6мм
Струм стока: 100А
Технологія: NexFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; Iробочий: 3,2А; ±20%; Isat: 4,1А
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; Iробочий: 3,2А; ±20%; Isat: 4,1А

18,88 грн

Високосортність:
30
Діаметр:
7,8мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
6,8мкГн
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 0201

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Ємність:
1мкФ
Резистор: thick film; 910кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 910кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷125°C

0,13 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Конденсатор: електролітичний; SMD; 47мкФ; 6,3ВDC; ±20%; 3000г; EXV
Конденсатор: електролітичний; SMD; 47мкФ; 6,3ВDC; ±20%; 3000г; EXV

4,94 грн

Висота:
5,4мм
Допуск:
±20%
Ємність:
47мкФ
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,8пФ
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; неекранований; вилка; 250В; 4А; PUR
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; неекранований; вилка; 250В; 4А; PUR

831,22 грн

Довжина проводу:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR; ПВХ
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Амперметр; на панель; I AC: 0÷20А; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц
Амперметр; на панель; I AC: 0÷20А; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц

2414,47 грн

Вимір:
струму AC
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Властивості вимірювальних приладів:
виготовлення згідно з вимогами клієнта
Властивості шкали:
робоче положення 90°
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK

371,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
118нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,4А; 1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,4А; 1Вт; SO8

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7А; 2Вт; SO8

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 122Вт; PG-VSON-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 122Вт; PG-VSON-4

318,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
PG-VSON-4
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; 5,8Вт; PQFN2X2
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; 5,8Вт; PQFN2X2

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
5,3нКл
Корпус:
PQFN2X2
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 15,4А; 3,2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 15,4А; 3,2Вт; SO8

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,8нКл
Корпус:
SO8