Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; Idm: 400А; 167Вт

Немає в наявності
Код товару: IAUC100N10S5N040ATMA1
66,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: IAUC100N10S5N040ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PG-TDSON-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 167Вт
Струм стока: 100А
Струм стоку в імпульсі: 400А
Технологія: OptiMOS™ 5
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 71,5кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 71,5кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

2,71 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,6пФ
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 15; THT; 3A; 125V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 15; THT; 3A; 125V

200,20 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
2,5мм
Довжина відводів:
3,5мм
Недоступний
Транзистор: PNP; біполярний; 60В; 600мА; 500мВт
Транзистор: PNP; біполярний; 60В; 600мА; 500мВт

8772,82 грн

Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
60В
Поляризація:
біполярний
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Транзистор: NPN; біполярний; 400В; 4А; 80Вт; DPAK
Транзистор: NPN; біполярний; 400В; 4А; 80Вт; DPAK

46,25 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
400В
Транзистор: PNP; біполярний; 45В; 0,8А; 330мВт; SOT23
Транзистор: PNP; біполярний; 45В; 0,8А; 330мВт; SOT23

3,04 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
45В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,9пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD