Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3

Немає в наявності
Код товару: IPB027N10N5ATMA1
144,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: IPB027N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO263-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 2,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 120А
Технологія: OptiMOS™ 5
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; SMC; SMD; 40В; 5А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; SMC; SMD; 40В; 5А; ролик,cтрічка

41,18 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
0,3нФ
Зворотна напруга макс.:
40В
Корпус:
SMC
Резистор: thick film; 6,8Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,8Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,44 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 43нФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 43нФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1206

6,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 220мкФ; 16ВDC; SMD; V; 2924; ±20%; TPS
Конденсатор: танталовий; 220мкФ; 16ВDC; SMD; V; 2924; ±20%; TPS

148,25 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
220мкФ
Корпус:
V
Мікроперемикач SNAP ACTION; SPST; OFF-(ON); ZW; IP67; Вив: проводи
Мікроперемикач SNAP ACTION; SPST; OFF-(ON); ZW; IP67; Вив: проводи

100,10 грн

Виводи:
проводи
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація контактів:
SPST
Матеріал контакту:
золото
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 52; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 52; SMT; 3A; 250V

374,43 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Довжина контакту:
4мм
Недоступний
Резистор: thick film; 86,6Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 86,6Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

0,25 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK

108,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 63А; 140Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 63А; 140Вт; DPAK

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8,3А; 2Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8,3А; 2Вт; TSOP6

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 200мА; Idm: 0,5А; 740мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 200мА; Idm: 0,5А; 740мВт

41,81 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 758Вт; PG-HDSOP-16
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 758Вт; PG-HDSOP-16

2074,25 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
124нКл
Корпус:
PG-HDSOP-16
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 11А; 300Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 11А; 300Вт; D2PAK

205,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3,2А; 1Вт; PG-SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3,2А; 1Вт; PG-SOT89

41,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В