Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 120А; 375Вт; D2PAK,TO263

Немає в наявності
Код товару: SQM120N10-3M8_GE3
240,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SQM120N10-3M8_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 125нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 3,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 375Вт
Струм стока: 120А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 21; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 21; THT; 1.5A

212,24 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0201

2,53 грн

Alias:
KGM03CR51A225MH
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Недоступний
Кабель; Жили: 30; 600мм; IDC,вільні проводи
Кабель; Жили: 30; 600мм; IDC,вільні проводи

1228,46 грн

Довжина кабелю:
0,6м
Конструкція кабелю/переходу:
IDC; вільні проводи
Супутні товари:
IS2-2IDC-S-30; IS2-2IDC-W-30; IS2-IDC-S-30; IS2-IDC-S-30-LED-U1; IS2-IDC-W-30
Тип аксесуарів для автоматизація:
кабель
Амортизатор; 7,8÷8,8мм; 2B; чорний
Амортизатор; 7,8÷8,8мм; 2B; чорний

439,69 грн

Застосування - серія/виробник:
2B
Зовнішній діаметр проводу:
7,8...8,8мм
Колір:
чорний
Тип аксесуарів для роз’ємів:
амортизатор
Недоступний
Резистор: thin film; 12,4Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 12,4Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

40,55 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
IC: цифровий; 4 to 16 line,декодер,защілка; IN: 4; CMOS; SMD; SO24
IC: цифровий; 4 to 16 line,декодер,защілка; IN: 4; CMOS; SMD; SO24

60,19 грн

Вид об'єднаної схеми:
4 to 16 line; декодер; защілка
Корпус:
SO24
Монтаж:
SMD
Сімейство:
CD4000
Недоступний
Конденсатор: кремнієвий; 10нФ; 11В; ±15%; -55÷150°C; ULSC
Конденсатор: кремнієвий; 10нФ; 11В; ±15%; -55÷150°C; ULSC

17,36 грн

Допуск:
±15%
Ємність:
10нФ
Робоча напруга:
11В
Робоча температура:
-55...150°C
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь

38,01 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
17нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт

74,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
10,4нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK

184,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD