Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 125А; Idm: 500А; 150Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STL120N10F8
131,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STL120N10F8
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 56нКл
Корпус: PowerFLAT 5x6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 4,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 150Вт
Струм стока: 125А
Струм стоку в імпульсі: 500А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Набір інструментів: Насадки до викруток; магнітний,ударний
Набір інструментів: Насадки до викруток; магнітний,ударний

278,76 грн

Кількість в наборі/упаковці:
20шт.
Матеріал:
легована сталь
Модель:
магнітний; ударний
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/4"
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD

0,73 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 34; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 34; THT; straight

112,77 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
40,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Енкодер: інкрементальний; THT; 24імп./об; Поз: 24; 5ВDC; 5мА; L: 20мм
Енкодер: інкрементальний; THT; 24імп./об; Поз: 24; 5ВDC; 5мА; L: 20мм

121,64 грн

Глибина зрізу:
1,5мм
Діаметр осі:
6мм
Довжина осі:
20мм
Кількість всіх позицій:
24
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 100нФ; 63ВAC; 100ВDC; 5мм; ±5%; THT
Конденсатор: поліестровий; 100нФ; 63ВAC; 100ВDC; 5мм; ±5%; THT

3,43 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
0,1мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
5мм
Недоступний
Резистор: thick film; 887кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 887кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Click board; макетна плата; Комп: 47C16; пам'ять EERAM; 5ВDC
Click board; макетна плата; Комп: 47C16; пам'ять EERAM; 5ВDC

881,91 грн

Вид модуля:
пам'ять EERAM
Інтерфейс:
I2C
Компоненти:
47C16
Напруга живлення:
5В DC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268