Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 128А; Idm: 512А; 150Вт

Немає в наявності
Код товару: FDP4D5N10C
307,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDP4D5N10C
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 48нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 4,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 150Вт
Струм стока: 128А
Струм стоку в імпульсі: 512А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 1.5A

152,05 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
3,1мм
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 128кБ; 16кБSRAM; TQFP64; 3÷3,6ВDC; DSPIC
IC: мікроконтролер dsPIC; 128кБ; 16кБSRAM; TQFP64; 3÷3,6ВDC; DSPIC

114,04 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
CLC x4; CRC; DMAC x4; PWM; watchdog
Інтерфейс:
CAN-FD; I2C x3; PMP; PWM; QEI x2; SENT x2; SPI x3; UART x3
Недоступний
Резистор: thin film; 1кОм; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 1кОм; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%

2,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 34,2÷37,8В; 8,4А; односпрямована; SMA; P4SMA
Діод: TVS; 0,4кВт; 34,2÷37,8В; 8,4А; односпрямована; SMA; P4SMA

3,86 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
30,8В
Корпус:
SMA
Недоступний
Резистор: thick film; 680мОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 680мОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; 150В

0,46 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film (Nichrome); 2кОм; SMD; MicroMELF; 0102; ±1%
Резистор: thin film (Nichrome); 2кОм; SMD; MicroMELF; 0102; ±1%

1,29 грн

Допуск:
±1%
Корпус:
MicroMELF
Корпус - дюйм:
0102
Корпус - мм:
2211
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 2м; вилка; 60ВDC; 60ВAC; 4А; 1200
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 2м; вилка; 60ВDC; 60ВAC; 4А; 1200

1136,60 грн

Довжина кабелю:
2м
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 200Вт; TO220AB

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
146нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,2А; Idm: 6А; 36Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,2А; Idm: 6А; 36Вт; TO220AB

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

658,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 98А; 150Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 98А; 150Вт; TO247AC

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
113,3нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 66А; Idm: 370А; 520Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 66А; Idm: 370А; 520Вт; TO247AC

352,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,9А; 190Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,9А; 190Вт; TO247AC

273,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
200нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 1,6А; Idm: 7А; 18Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 1,6А; Idm: 7А; 18Вт

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
TO220FP