Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 130А; 360Вт; TO220AB; 67нс

Немає в наявності
Код товару: IXTP130N10T
250,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTP130N10T
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet
Заряд затвора: 104нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 9,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 360Вт
Струм стока: 130А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 67нс
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 5,9нГн; 1770мА; R: 0,04Ом; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 5,9нГн; 1770мА; R: 0,04Ом; LQW; 180мм

3,19 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,2нГн
Індуктивність:
5,9нГн
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

2,05 грн

Alias:
KGM15ACG1H120GT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
10пФ; SMD; ESR: 60Ом; 25МГц; Стаб.част: ±30ppm; -20÷70°C; 10мкВт
10пФ; SMD; ESR: 60Ом; 25МГц; Стаб.част: ±30ppm; -20÷70°C; 10мкВт

15,27 грн

Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
10пФ
Монтаж:
SMD
Опір ESR:
60Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 1210

21,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
22мкФ
Недоступний
Трансформатор: мережевий; 2500ВА; 230ВAC,400ВAC; 24В; гвинтовий
Трансформатор: мережевий; 2500ВА; 230ВAC,400ВAC; 24В; гвинтовий

30151,46 грн

Виводи:
затискна планка
Відповідність стандарту:
PN EN 61558-2-6
Вторинна напруга 1:
24В
Зовнішні розміри:
195x187x190мм
Недоступний
Резистор: thin film; 172Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 172Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В

15,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Перфоратор; Ø: 12мм; для вирубки; Дов.інструмента: 125мм
Перфоратор; Ø: 12мм; для вирубки; Дов.інструмента: 125мм

319,31 грн

Використання інструментів:
для вирубки
Діаметр стержня:
12мм
Довжина інструмента:
125мм
Тип інструмента:
перфоратор
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт

763,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
128нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт

662,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
287нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC

217,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт

1384,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
162нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В