Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 150А; 300Вт; TO220-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: CSD19535KCS
223,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CSD19535KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 78нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 3,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 150А
Технологія: NexFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Товщина радіатора: 1,14...1,4мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2нФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2нФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD

2,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 45; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 45; THT; straight

51,32 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,7мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: компаратор; low-power; Cmp: 1; 4мкс; 1,6÷5,5В; SMT; SOT23-5
IC: компаратор; low-power; Cmp: 1; 4мкс; 1,6÷5,5В; SMT; SOT23-5

15,59 грн

Вид виходу:
push-pull
Вид компаратора:
low-power
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вхідна напруга зміщення нуля:
7мВ
Недоступний
Резистор: thick film; 5,9Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,9Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 390мкГн; 80мА; R: 6,9Ом; ±5%; LQH; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 390мкГн; 80мА; R: 6,9Ом; ±5%; LQH; 180мм

7,73 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
0,39мГн
Корпус - дюйм:
1812
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,57 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,7пФ
Недоступний
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий; Ch: 1; CMOS; SMD; SC70; -40÷85°C
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий; Ch: 1; CMOS; SMD; SC70; -40÷85°C

10,77 грн

Вид входу:
з тригером Шмітта
Вид об'єднаної схеми:
буфер; неінвертуючий
Вид упаковки:
cтрічка; котушка
Кількість каналів:
1
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247

505,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3

346,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
90нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 650В; 10,7А; 30Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 650В; 10,7А; 30Вт; ESD

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 24А; 74Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 24А; 74Вт; TO3PF

282,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO3PF
Монтаж:
THT