1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO220AB; 72нс

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO220AB; 72нс
Немає в наявності
Код товару: IXTP180N10T
463,76 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTP180N10T
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet
Заряд затвора: 151нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 6,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 480Вт
Струм стока: 180А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 72нс
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 16В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 16В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 0603

2,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Ємність:
15пФ
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC

333,88 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,2А
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 931Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 931Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В

0,98 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Диференційний вимикач; Iном: 10А; Iдіф: 30мА; Полюси: 3+N; 240ВAC
Диференційний вимикач; Iном: 10А; Iдіф: 30мА; Полюси: 3+N; 240ВAC

12064,13 грн

Вид вимикача:
тип AC
Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Диференціальний струм:
30мА
Кількість полюсів:
3+N
Недоступний
Резистор: thin film; 673Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 673Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 13кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 13кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HP; 200В

1,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 16А; 10А; Igt: 25мА; D2PAK; SMD
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 16А; 10А; Igt: 25мА; D2PAK; SMD

22,43 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1828,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3