Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; 550Вт; TO3P; 76нс

Немає в наявності
Код товару: IXTQ200N10T
458,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTQ200N10T
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet
Заряд затвора: 152нКл
Корпус: TO3P
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 5,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 550Вт
Струм стока: 200А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 76нс
Недоступний
Резистор: thick film; 1,2МОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,2МОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,09 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 4кБ; 40МГц; 4,2÷5,5ВDC; THT; DIP40; PIC18
IC: мікроконтролер PIC; 4кБ; 40МГц; 4,2÷5,5ВDC; THT; DIP40; PIC18

341,49 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); HLVD; PoR; watchdog
Інтерфейс:
A/E/USART; ICSP; LIN; MSSP (SPI / I2C); RS232; RS485
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; кутовий; Дл: 5м; вилка; 4А
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; кутовий; Дл: 5м; вилка; 4А

1112,52 грн

Довжина кабелю:
5м
Зовнішній діаметр проводу:
4,7мм
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 25В; X7S; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 25В; X7S; ±10%; SMD; 0603

3,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7S
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD

0,89 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Connector: IDC; plug; male; data; vertical,straight; 1A; THT; 2.54mm
Connector: IDC; plug; male; data; vertical,straight; 1A; THT; 2.54mm

409,91 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість рядів:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 1Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 18,9А; 313Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 18,9А; 313Вт; TO247

603,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 28А; 330Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 28А; 330Вт; TO247

455,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

306,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 171А; Idm: 684А; 517Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 171А; Idm: 684А; 517Вт; TO247

947,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; 38,5Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; 38,5Вт; TO220FP

214,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 35А; 102Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 35А; 102Вт; TO3PF

475,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO3PF
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 130В; 40А; 500Вт; M244; 17дБ; 61%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 130В; 40А; 500Вт; M244; 17дБ; 61%

9065,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
RF
Вид упаковки:
туба
Вихідна потужність:
350Вт