1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 20А; Idm: 112А; 107Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 20А; Idm: 112А; 107Вт
Немає в наявності
Код товару: PHB27NQ10T,118
74,13 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PHB27NQ10T,118
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 30нКл
Корпус: D2PAK; SOT404
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 50мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 107Вт
Струм стока: 20А
Струм стоку в імпульсі: 112А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 200В; 2А; Ifsm: 75А; DO15,DO204AC; Ammo Pack
Діод: випрямний; THT; 200В; 2А; Ifsm: 75А; DO15,DO204AC; Ammo Pack

5,13 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
DO15; DO204AC
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 120мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 120мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92

60,82 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
Ammo Pack
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Резистор: thick film; 100кОм; 0201; 50мВт; ±1%
Резистор: thick film; 100кОм; 0201; 50мВт; ±1%

0,37 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
IC: рація Ethernet; full duplex,MII; LQFP64; 10/100Base-T; 3,3В
IC: рація Ethernet; full duplex,MII; LQFP64; 10/100Base-T; 3,3В

238,85 грн

Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
MAC; PHY
Інтерфейс:
full duplex; MII
Категорія Ethernet:
10/100Base-T
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 2,2нФ; 2кВDC; 700ВAC; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; 2,2нФ; 2кВDC; 700ВAC; THT; ±10%

0,00 грн

Вид матеріалу:
що самогаситься
Властивості конденсаторів:
мають ефект самовідновлення; низький коефіцієнт втрат
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2нФ
Резистор: thick film; 3,9МОм; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,9МОм; ±5%; -55÷155°C

44,35 грн

Допуск:
±5%
Опір:
3,9мОм
Робоча температура:
-55...155°C
Тип резистора:
thick film
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 44; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 44; THR,THT; 3A

229,35 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
9,2мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8

98,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK

70,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
48нКл