1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21,5А; 53,5Вт; TO252

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21,5А; 53,5Вт; TO252
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: AOD2910
43,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AOD2910
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 7нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 24мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 53,5Вт
Струм стока: 21,5А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 392Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 392Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%

32,12 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 73,2кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 73,2кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M

2,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Перетворювач: DC/DC; 60Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 2000мА
Перетворювач: DC/DC; 60Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 2000мА

7208,57 грн

Використання:
залізнична галузь
Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
2А
Недоступний
Резистор: thin film; 34Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 34Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

6,40 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Роз’єм: FFC/FPC; позолочений; 200В; Контакти: фосфориста бронза
Роз’єм: FFC/FPC; позолочений; 200В; Контакти: фосфориста бронза

0,00 грн

Клас горючості:
UL94V-0
Матеріал контакту:
фосфориста бронза
Номінальна напруга:
200В
Покриття контакту:
позолочений
Недоступний
Резистор: thick film; 1,15кОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 1,15кОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,59 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
1,15кОм
Недоступний
Дисплей: TFT; 7"; 800x480; Підсв: LED; Вим: 165,6x100,6x11,34мм
Дисплей: TFT; 7"; 800x480; Підсв: LED; Вим: 165,6x100,6x11,34мм

0,00 грн

Cенсорна панель:
ємкісний
Вид дисплея:
графічний
Вид контролера:
FT813
Вид упаковки:
групова заводська упаковка
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3