Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 212А; Idm: 1200А; 375Вт

Немає в наявності
Код товару: IPT020N10N3ATMA1
371,26 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPT020N10N3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка
Заряд затвора: 156нКл
Корпус: PG-HSOF-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 375Вт
Струм стока: 212А
Струм стоку в імпульсі: 1,2кА
Технологія: OptiMOS™ 3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 100V

252,79 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Провід; HookUp Wire; 30AWG; дріт; Cu; ETFE; білий; 305м; 1000футів
Провід; HookUp Wire; 30AWG; дріт; Cu; ETFE; білий; 305м; 1000футів

9040,81 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова жили:
дріт
Вид жили:
Cu; сріблена
Вид кабелю:
HookUp Wire
IC: Oпераційний підсилювач; 110МГц; Ch: 1; ±1,5÷6ВDC,3÷12ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 110МГц; Ch: 1; ±1,5÷6ВDC,3÷12ВDC; SO8

202,10 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output; voltage feedback
Діапазон напруги живлення:
± 1,5...6В DC; 3...12В DC
Кількість каналів:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 487Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 487Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Кабель; 0,3м; AMC "мама",MCX "папа"; кутовий,прямий
Кабель; 0,3м; AMC "мама",MCX "папа"; кутовий,прямий

1003,55 грн

Вид кабелю:
1.13 mm Micro-cable
Довжина кабелю:
0,3м
Конструкція кабелю/переходу:
AMC "мама"; MCX "папа"
Модель роз’єму:
кутовий; прямий
Недоступний
Діод: TVS; 20кВт; 70,4В; 207А; односпрямована; ±5%; P600; 20KPA
Діод: TVS; 20кВт; 70,4В; 207А; односпрямована; ±5%; P600; 20KPA

613,91 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
60В
Недоступний
Роз’єм: IDC; гніздо; штекерний; PIN: 40; HIF3; прямий; THT; на PCB
Роз’єм: IDC; гніздо; штекерний; PIN: 40; HIF3; прямий; THT; на PCB

0,00 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
40
Матеріал контакту:
латунь
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD