Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21А; 100Вт; DPAK; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STD25NF10T4
89,33 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STD25NF10T4
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: DPAK
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 38мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 100Вт
Струм стока: 21А
Технологія: SuperMesh™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 3A; 250V

18,37 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
8,1мм
Недоступний
Click board; макетна плата; Комп: MAX3109ETJ+; конвертер; 3,3ВDC
Click board; макетна плата; Комп: MAX3109ETJ+; конвертер; 3,3ВDC

2920,68 грн

Вид модуля:
конвертер
Властивості аксесуарів для пускових комплектів:
ClickID
Інтерфейс:
GPIO; I2C; SPI; UART
Компоненти:
MAX3109ETJ+
Недоступний
Кристал; 22,5792МГц; 20пФ; ±30ppm; ±3ppm/рік; 3,2x2,5x0,7мм
Кристал; 22,5792МГц; 20пФ; ±30ppm; ±3ppm/рік; 3,2x2,5x0,7мм

3,93 грн

Довготривала стабільність:
±3ppm/рік
Ємність:
20пФ
Робоча температура:
-20...70°C
Розміри:
3,2x2,5x0,7мм
Викрутка: стандартний; плоскa; 3x0,5мм
Викрутка: стандартний; плоскa; 3x0,5мм

156,49 грн

Розмір грота:
3x0,5мм
Тип викрутка:
стандартний
Тип грота:
плоскa
Недоступний
Ключ; гачковий; хром-ванадієва сталь; 242мм; фосфатований
Ключ; гачковий; хром-ванадієва сталь; 242мм; фосфатований

1118,22 грн

Вид ключа:
гачковий
Відповідність стандарту:
DIN 1810
Довжина:
242мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Недоступний
Радіокнопка; EnOcean; 30м; Ch: 2; інтелігентний будинок
Радіокнопка; EnOcean; 30м; Ch: 2; інтелігентний будинок

2742,02 грн

Вид модуля:
безпровідний
Використання:
інтелігентний будинок
Дальність:
30м
Застосування - серія/виробник:
E-Design55
Недоступний
IC: супервізор; детектор напруги; open drain; 0,7÷6ВDC; USPN4
IC: супервізор; детектор напруги; open drain; 0,7÷6ВDC; USPN4

16,03 грн

Активний стан:
низьке
Вид виходу RESET:
open drain
Вид об'єднаної схеми:
детектор напруги
Властивості інтегральних мікросхем:
Manual Reset
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD