Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 22А; Idm: 30А; 78Вт; Power56

Немає в наявності
Код товару: FDMS3672
148,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMS3672
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 44нКл
Корпус: Power56
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 40мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 78Вт
Струм стока: 22А
Струм стоку в імпульсі: 30А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 62; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 62; THT; straight

102,00 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
24,9мм
Електричний монтаж:
THT
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 26AWG; PTFE; білий; 600В; 30,5м
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 26AWG; PTFE; білий; 600В; 30,5м

2301,70 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; сріблена
Вид кабелю:
HookUp Wire
Відповідність стандарту:
MIL-W-16878/4 (Type E); NEMA HP3; UL 1213; VW-1
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 1; 4÷16ВDC; SOT23-5; 5мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 1; 4÷16ВDC; SOT23-5; 5мВ

76,03 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; універсальний
Вхідна напруга зміщення нуля:
5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,2нА
Недоступний
Резистор: thick film; 68кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 68кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 100кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; -65÷150°C
Резистор: thin film; 100кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; -65÷150°C

739,36 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Монтаж:
SMD
Опір:
100кОм
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 46; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 46; THT; straight

161,56 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
40,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0201

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3