Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 238А; Idm: 952А; 277,8Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMMB020N10HG4
124,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMMB020N10HG4
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 123,4нКл
Корпус: TO263-7
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 2,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 277,8Вт
Струм стока: 238А
Струм стоку в імпульсі: 952А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 2220

67,79 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Дисплей: LCD; графічний; 160x104; STN Negative; синій; 81,5x67,5мм
Дисплей: LCD; графічний; 160x104; STN Negative; синій; 81,5x67,5мм

0,00 грн

Cенсорна панель:
опору
Вид дисплея:
графічний
Властивості дисплеїв:
інтелігентний
Діагональ екрану:
3,2"
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402

0,39 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±5%; SP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±5%; SP; 200В; -55÷155°C

5,51 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,1Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C

15,52 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 250В; C0G (NP0); ±1%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 250В; C0G (NP0); ±1%; SMD

2,46 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Ємність:
0,47нФ
Недоступний
Резистор: thick film; 365кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 365кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А

149,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23