Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 250А; 1250Вт; TO264

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFK250N10P
1058,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFK250N10P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 205нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 6,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,25кВт
Струм стока: 250А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 93,1Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 93,1Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Connector: wire-board; male; data; Minimodul; Inom: 5A; PIN: 2; 2.5mm
Connector: wire-board; male; data; Minimodul; Inom: 5A; PIN: 2; 2.5mm

7,22 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 20А; Полюси: 4
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 20А; Полюси: 4

2508,87 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Кількість полюсів:
4
Клас герметичності:
IP20
Резистор: thin film; 10,5Ом; SMD; 0603; 62,5мВт; -55÷155°C
Резистор: thin film; 10,5Ом; SMD; 0603; 62,5мВт; -55÷155°C

27,37 грн

Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Опір:
10,5Ом
Резистор: thin film; 54,9кОм; 1206; 250мВт; ±0,1%; RT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 54,9кОм; 1206; 250мВт; ±0,1%; RT; -55÷155°C

9,88 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
54,9кОм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 2700мкФ; 25ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 2700мкФ; 25ВDC; ±20%

93,13 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
25мм
Властивості конденсаторів:
висока надійність; компактні розміри корпусу
Діаметр:
16мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 110А; Idm: 440А; 104,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 110А; Idm: 440А; 104,2Вт

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 75А; Idm: 300А; 59Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 75А; Idm: 300А; 59Вт; TO220-3

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 28А; Idm: 112А; 59,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 28А; Idm: 112А; 59,5Вт

113,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

1306,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
269нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT