Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 257А; Idm: 1028А; 379Вт

Немає в наявності
Код товару: WMK028N10HGS
79,19 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMK028N10HGS
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 134нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 2,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 379Вт
Струм стока: 257А
Струм стоку в імпульсі: 1028А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 8; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 8; THT; straight

9,00 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
19,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Діод: TVS; 9,9В; 354,2А; двоспрямована; ±5%; P600; 5кВт; 5KP
Діод: TVS; 9,9В; 354,2А; двоспрямована; ±5%; P600; 5кВт; 5KP

79,83 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
8,5В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,77 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,7пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 133Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF
Резистор: thick film; 133Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF

1,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Вольтметр; на панель; ВAC: 0÷500В; 40÷72Гц; Uмакс: 500В; 96x96мм
Вольтметр; на панель; ВAC: 0÷500В; 40÷72Гц; Uмакс: 500В; 96x96мм

2411,31 грн

Вимір:
напруги AC
Властивості шкали:
робоче положення 90°
Діапазон вимірювання напруги AC:
0...500В
Довжина шкали:
97мм
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; ±20%; 30А; ферит; 7мм; 11,2мОм
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; ±20%; 30А; ферит; 7мм; 11,2мОм

40,55 грн

Висота:
7мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
4,7мкГн
Матеріал стержня:
ферит
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; QFN64; 512кБFLASH; ARM; ролик,cтрічка
IC: мікроконтролер ARM; QFN64; 512кБFLASH; ARM; ролик,cтрічка

329,45 грн

Вид архітектури:
Cortex M4F
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
DMA; PoR; PWM; мікросхема watchdog
Інтерфейс:
EBI; EMI; I2C; I2S; IrDA; SD; SPI; UART; USART; USB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 18,9А; 313Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 18,9А; 313Вт; TO247

603,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 28А; 330Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 28А; 330Вт; TO247

455,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

306,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 171А; Idm: 684А; 517Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 171А; Idm: 684А; 517Вт; TO247

947,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; 38,5Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; 38,5Вт; TO220FP

214,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 35А; 102Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 35А; 102Вт; TO3PF

475,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO3PF
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 130В; 40А; 500Вт; M244; 17дБ; 61%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 130В; 40А; 500Вт; M244; 17дБ; 61%

9065,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
RF
Вид упаковки:
туба
Вихідна потужність:
350Вт