Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STB30NF10T4
102,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STB30NF10T4
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: D2PAK
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 45мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 115Вт
Струм стока: 25А
Технологія: SuperMesh™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 44; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 44; THT; 3A; 250V

186,90 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
7,1мм
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 9x16AWG; неекранований; 600В; 152м
Провід; Alpha Essential C&C; 9x16AWG; неекранований; 600В; 152м

93833,11 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
UL 2463; VW-1
Недоступний
Кабель: для сервоприводів; 15м; Стандарт: Lenze; ÖLFLEX CONNECT
Кабель: для сервоприводів; 15м; Стандарт: Lenze; ÖLFLEX CONNECT

8382,55 грн

Engineering PN:
EYF-0017-A-0150-F01-S02; EYF-0017-A-XLENX-F01-S02
Використання:
мобільні з'єднання
Довжина кабелю:
15м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Недоступний
Аварійний вимикач; Iном: 40А; Iдіф: 100мА; Полюси: 4; 400В,415В
Аварійний вимикач; Iном: 40А; Iдіф: 100мА; Полюси: 4; 400В,415В

3057,53 грн

Вид вимикача:
тип A
Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 61008
Властивості вимикачів:
N-полюс з лівого боку
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2mm; GKS-112; CuBe; 5N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2mm; GKS-112; CuBe; 5N; push-in; 20mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2мм
Недоступний
Резистор: thick film; 680Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 680Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,51 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
680Ом
IC: пам'ять EEPROM; 64кбEEPROM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; PLCC32; 150нс
IC: пам'ять EEPROM; 64кбEEPROM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; PLCC32; 150нс

297,77 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Кількість циклів макс.:
10к
Корпус:
PLCC32
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD