Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,5А; 10,42Вт; SOT223

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDT1600N10ALZ
65,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDT1600N10ALZ
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 0,16Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 10,42Вт
Струм стока: 3,5А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 22нФ; 630ВDC; 305ВAC; THT; ±20%
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 22нФ; 630ВDC; 305ВAC; THT; ±20%

6,53 грн

Вид конденсатора:
X2
Довжина відводів:
6мм
Допуск:
±20%
Ємність:
22нФ
Недоступний
Резистор: thick film; 1,8кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; PS; 500В
Резистор: thick film; 1,8кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; PS; 500В

3,93 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thick film; 3,16Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,16Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Кабель; DVI-D (18+1) вилка,з обох сторін; single link; 1,8м
Кабель; DVI-D (18+1) вилка,з обох сторін; single link; 1,8м

200,20 грн

Вид жили:
CCS
Діаметр жили:
30AWG
Довжина кабелю:
1,8м
Колір ізоляції:
чорний
Конденсатор: керамічний; 270пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 270пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,34 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
270пФ
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Обслуговування інтерфейсу; 10÷60°C; 474x140x143мм; H: 143мм
Обслуговування інтерфейсу; 10÷60°C; 474x140x143мм; H: 143мм

25002,56 грн

Висота:
143мм
Робоча температура:
10...60°C
Розміри:
474x140x143мм
Супутні товари:
IGN-111819
Резистор: вуглецевий; 4,7кОм; THT; 0,25Вт; ±5%; 250В; Ш0,46x28мм
Резистор: вуглецевий; 4,7кОм; THT; 0,25Вт; ±5%; 250В; Ш0,46x28мм

1,24 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А

149,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK