Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 31А; Idm: 204А; 65Вт; Power33

Немає в наявності
Код товару: FDMC86160ET100
178,66 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMC86160ET100
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 22нКл
Корпус: Power33
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 26мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 65Вт
Струм стока: 31А
Струм стоку в імпульсі: 204А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; SMT; 3A; 100V

72,23 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thin film; 69,8Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 69,8Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,88 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Резистор: thick film; 2кОм; 0402; 63мВт; ±1%; RE; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2кОм; 0402; 63мВт; ±1%; RE; -55÷155°C

0,17 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
2кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 392Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 392Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Connector: DIN 41612; socket; male; data; PIN: 48; angled 90°; THT
Connector: DIN 41612; socket; male; data; PIN: 48; angled 90°; THT

224,28 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
2,65мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: цифровий; неінвертуючий,тригер D; Ch: 8; IN: 8; CMOS; SMD; SSOP20
IC: цифровий; неінвертуючий,тригер D; Ch: 8; IN: 8; CMOS; SMD; SSOP20

26,42 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
неінвертуючий; тригер D
Кількість виходів:
8
Кількість каналів:
8
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; SMT; 3A; 250V

181,20 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD