Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4,1А; 9Вт; SOT223

Немає в наявності
Код товару: TSM950N10CW RPG
54,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TSM950N10CW RPG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка
Заряд затвора: 9,3нКл
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 95мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 9Вт
Струм стока: 4,1А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 50; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 50; THT; 3A; 250V

258,49 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
8,2мм
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; ±20%; 4x4x1,85мм; 800мА; ферит
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; ±20%; 4x4x1,85мм; 800мА; ферит

3,93 грн

Висота:
1,85мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
22мкГн
Матеріал стержня:
ферит
Недоступний
Енкодер: інкрементальний; THT; 15імп./об; Поз: 30; 5ВDC; 10мА; DP11
Енкодер: інкрементальний; THT; 15імп./об; Поз: 30; 5ВDC; 10мА; DP11

147,62 грн

Властивості енкодерів:
з кнопкою
Діаметр осі:
6мм
Довжина осі:
25мм
Кількість всіх позицій:
30
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 5,62кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 5,62кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Діод: зенера; 1,25Вт; 75В; DO41; 1мкА; Ufmax: 1,2В
Діод: зенера; 1,25Вт; 75В; DO41; 1мкА; Ufmax: 1,2В

323,75 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
75В
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Недоступний
Test probe: screw-in; 8A; Ø: 4mm; GKS-503; CuBe; 5N; screw-in; 100mΩ
Test probe: screw-in; 8A; Ø: 4mm; GKS-503; CuBe; 5N; screw-in; 100mΩ

438,42 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
7мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
4мм
Недоступний
Резистор: thin film; 120Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 120Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

3,67 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD