Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4,5А; Idm: 20А; 1,18Вт

Немає в наявності
Код товару: DMN10H099SFG-13
15,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: DMN10H099SFG-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 25,2нКл
Корпус: PowerDI3333-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 99мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,18Вт
Струм стока: 4,5А
Струм стоку в імпульсі: 20А
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1812

40,55 грн

Alias:
KGM43BR72A334KV
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Недоступний
Резистор: thin film; 2,37кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 2,37кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

3,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: metal film; 17,2кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 17,2кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

15,97 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Недоступний
Резистор: metal film; 120Ом; SMD; 300мВт; ±1%; 150В; Ø1,1x2,2мм
Резистор: metal film; 120Ом; SMD; 300мВт; ±1%; 150В; Ø1,1x2,2мм

1,33 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
Ø1,1x2,2мм
Кількість в наборі/упаковці:
3000шт.
Недоступний
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C

0,15 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
1220
Недоступний
Резистор: thick film; 10,5кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 10,5кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
IC: PMIC; випрямляч,тригер Шмітта,синхронний; Uвх: 4,5÷28В; buck
IC: PMIC; випрямляч,тригер Шмітта,синхронний; Uвх: 4,5÷28В; buck

153,32 грн

Вид об'єднаної схеми:
випрямляч; синхронний; тригер Шмітта
Вихідна напруга:
0,7В
Вихідний струм:
20А
Вхідна напруга:
4,5...28В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268