1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 40А; Idm: 160А; 37,5Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 40А; Idm: 160А; 37,5Вт
Немає в наявності
Код товару: DI040N10D1-AQ
57,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI040N10D1-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 15,5нКл
Корпус: DPAK; TO252AA
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 38,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 37,5Вт
Струм стока: 40А
Струм стоку в імпульсі: 160А
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 22мкФ; 25ВDC; Ø5x7мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 22мкФ; 25ВDC; Ø5x7мм

18,37 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
7мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
5мм
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 16бит; 10sps; 4,5÷7,5В; SOIC16; туба
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 16бит; 10sps; 4,5÷7,5В; SOIC16; туба

213,51 грн

Вид входу:
differential
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
3-wire; serial
Кількість каналів:
1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0603

1,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Вим.акс: гніздо для щупа; Покриття: позолочений; тестові голки
Вим.акс: гніздо для щупа; Покриття: позолочений; тестові голки

839,46 грн

Використання:
тестові голки
Загальна довжина:
38мм
Матеріал контакту:
латунь
Мінімальний крок:
4мм
Недоступний
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; CQ; 200В

1,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thick film; 2,8кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,8кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
2,8кОм
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 5А; 5A/250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 5А; 5A/250ВAC

79,83 грн

Зовнішні розміри:
20,3x5,3x12,8мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. струм контактів:
5А
Матеріал контакту:
AgNi
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 2,5А; Idm: 28А; 20,8Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 2,5А; Idm: 28А; 20,8Вт; DPAK

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK

212,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 3А; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 3А; SO8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 426А; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 426А; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 3,9А; Idm: 28А; 145Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 3,9А; Idm: 28А; 145Вт; TO252

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 225мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 225мВт

4,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 35А; Idm: 200А; 37,5Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 35А; Idm: 200А; 37,5Вт; QFN3X3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
48,5нКл