Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 42А; Idm: 90А; 2,8Вт; TO220AB

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DMNH10H028SCT
108,97 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMNH10H028SCT
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 25,4нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 19мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,8Вт
Струм стока: 42А
Струм стоку в імпульсі: 90А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 232Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 232Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 9,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 9,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В

0,56 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 4x18AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В; 305м
Провід; Alpha Essential C&C; 4x18AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В; 305м

96219,71 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з мідного дроту
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
UL 2095
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 5÷100мм; PNP; на відбиття
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 5÷100мм; PNP; на відбиття

3355,30 грн

Властивості датчиків:
придушення фону
Дальність:
5...100мм
Додаткові функції:
Teach-in
Кількість пін:
4
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; CQ; 200В

1,62 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,3пФ
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 34Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм
Резистор: вуглецевий; 34Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм

12,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Транзистор: N-MOSFET; 700В; 6А; Idm: 12,8А; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 700В; 6А; Idm: 12,8А; TO220FP

43,97 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,8нКл
Корпус:
TO220FP
Напруга сток-джерело:
700В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 60В; 42А; 110Вт
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 60В; 42А; 110Вт

112,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 900В; 36А; Idm: 96А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; 900В; 36А; Idm: 96А; 417Вт; TO247

1141,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 500В; 3А; 45Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 500В; 3А; 45Вт; TO220-3

124,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 18А; 72Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 18А; 72Вт

87,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30,8А; 230Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30,8А; 230Вт; TO220AB

232,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 69Вт
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 69Вт

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
73нКл
Монтаж:
THT
Напруга сток-джерело:
100В