1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; Idm: 272А; 96,1Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; Idm: 272А; 96,1Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMB099N10HGS
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMB099N10HGS
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 59нКл
Корпус: PDFN5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 9,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 96,1Вт
Струм стока: 43А
Струм стоку в імпульсі: 272А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Випрямний міст: напівкерований; Urmax: 600В; Ufmax: 1,4В; If: 40А
Випрямний міст: напівкерований; Urmax: 600В; Ufmax: 1,4В; If: 40А

2217,44 грн

Виводи:
конектори
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; зворотний діод
Електричний монтаж:
конектори FASTON
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Недоступний
Модуль: діодний; подвійний,спільний катод; 100В; If: 55Аx2; SMT
Модуль: діодний; подвійний,спільний катод; 100В; If: 55Аx2; SMT

662,70 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
Шотткі
Електричний монтаж:
SMT
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

0,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
10нФ
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; TQFP32; 32кБFLASH; ARM; ролик,cтрічка; SAM
IC: мікроконтролер ARM; TQFP32; 32кБFLASH; ARM; ролик,cтрічка; SAM

173,59 грн

Вид архітектури:
ARM; Cortex M0+
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
DMA; PoR; PWM; мікросхема watchdog
Інтерфейс:
I2C; I2C x4; LIN; SPI; UART; USART; USB
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; 80МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; TQFP64
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; 80МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; TQFP64

250,25 грн

Вид архітектури:
M4K
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
PMP; PPS; UART
Генератор вбудований:
8МГц
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; SMT; 3A; 100V

43,72 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Генератор; 7,3728МГц; SMD; 2x1,6x0,8мм; 15пФ; ±20ppm; 3,3ВDC
Генератор; 7,3728МГц; SMD; 2x1,6x0,8мм; 15пФ; ±20ppm; 3,3ВDC

80,46 грн

Вихідний сигнал:
CMOS
Допуск резонаторів:
±20ppm
Ємність:
15пФ
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268