Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 49,5А; 214Вт; TO3PN

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FQA70N10
194,50 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FQA70N10
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 11нКл
Корпус: TO3PN
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 23мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 214Вт
Струм стока: 49,5А
Технологія: QFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Диференційний вимикач; Iном: 25А; Iдіф: 100мА; Полюси: 2; 230ВAC
Диференційний вимикач; Iном: 25А; Iдіф: 100мА; Полюси: 2; 230ВAC

3734,17 грн

Вид вимикача:
тип A
Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 61009-1
Диференціальний струм:
0,1А
Недоступний
Резистор: thick film; 121кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 121кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; THT; 1.5A

369,36 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
5мм
Недоступний
Діод: випрямний; 1,8кВ; 400А; анод на болті; E17; M24x1,5; 1,45В
Діод: випрямний; 1,8кВ; 400А; анод на болті; E17; M24x1,5; 1,45В

17075,54 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
ізольований тросик - силіконовий рукав
Зворотна напруга макс.:
1,8кВ
Корпус:
E17
Монтаж:
гвинтовий
Недоступний
Резистор: thin film; 2,61кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 2,61кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

58,92 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 48кБ; 40МГц; A/E/USART x2,LIN,MSSP x2
IC: мікроконтролер PIC; 48кБ; 40МГц; A/E/USART x2,LIN,MSSP x2

203,37 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Phase locked loop; watchdog
Інтерфейс:
A/E/USART x2; LIN; MSSP x2
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 16,5кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 16,5кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20,2А; 34Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20,2А; 34Вт; TO220FP

187,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20,2А; 151Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20,2А; 151Вт; PG-TO220-3

138,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 77,5А; 481Вт; PG-TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 77,5А; 481Вт; PG-TO247-3

751,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 15,5Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 15,5Вт; TO220F

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8,5нКл
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; TO262
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; TO262

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30,6нКл
Корпус:
TO262
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; 150Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; 150Вт; TO247

271,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 900В; 11,6А; 250Вт
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 900В; 11,6А; 250Вт

421,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD