Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 53,7А; Idm: 340А; 108,7Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMO080N10HG2
52,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMO080N10HG2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 21нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 108,7Вт
Струм стока: 53,7А
Струм стоку в імпульсі: 340А
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 150мкФ; 63ВDC; Ø8x20мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 150мкФ; 63ВDC; Ø8x20мм

34,85 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
8мм
Недоступний
IC: цифровий; 3-позиційний,неінвертуючий,тригер D; Ch: 8; IN: 8
IC: цифровий; 3-позиційний,неінвертуючий,тригер D; Ch: 8; IN: 8

19,26 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
3-позиційний; неінвертуючий; тригер D
Кількість виходів:
8
Кількість каналів:
8
Недоступний
Роз’єм: automotive; вилка; штекерний; DuraMate AHDM; сплав цинку
Роз’єм: automotive; вилка; штекерний; DuraMate AHDM; сплав цинку

779,90 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Кількість пін:
18 (14+3+1)
Корпус:
розмір 24
Матеріал корпусу:
сплав цинку
Конденсатор: керамічний; 5,6пФ; 25ВDC; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; 5,6пФ; 25ВDC; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,47 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,6пФ
Корпус - дюйм:
01005
Корпус - мм:
0402
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 1,2В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 1,2В

26,61 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
1,2В
Вихідний струм:
0,8А
Недоступний
Резистор: thick film; 332Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B
Резистор: thick film; 332Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B

1,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А

149,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23