Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,8А; Idm: 13,6А; 14,9Вт; DPAK

Немає в наявності
Код товару: FDD1600N10ALZ
27,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: FDD1600N10ALZ
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 2,78нКл
Корпус: DPAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 0,16Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 14,9Вт
Струм стока: 6,8А
Струм стоку в імпульсі: 13,6А
Тип транзистора: N-MOSFET
Роз’єм: M8; гніздо; PIN: 3; гніздовий; промислова; прямий; проводи
Роз’єм: M8; гніздо; PIN: 3; гніздовий; промислова; прямий; проводи

781,81 грн

Connector family:
промислова
Engineering PN:
M8 PFT straight 0,5m
Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина кабелю:
0,5м
Недоступний
Резистор: thin film; 7,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 7,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: thick film; 43,2Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 43,2Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,92 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
43,2Ом
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

297,14 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
2Мб SRAM
Недоступний
Резистор: thin film; 835Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 835Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

2,92 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Перетворювач: DC/DC; 320Вт,321Вт; Uвх: 24ВDC; Iвих: 21,4А; THT
Перетворювач: DC/DC; 320Вт,321Вт; Uвх: 24ВDC; Iвих: 21,4А; THT

14754,20 грн

Вихідна напруга:
15В
Вихідний струм:
21,4А
Вхідна напруга:
24В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; захист від зниженого напруги UVLO; макс. струму OCP; проти короткого замикання OVP
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 4,3МОм; THT; 250мВт; ±5%; 300В; осьові
Резистор: вуглецевий; 4,3МОм; THT; 250мВт; ±5%; 300В; осьові

1,64 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,3мм
Довжина:
6,1мм
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK

76,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK

240,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 4А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 4А; 135Вт; DPAK

103,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,4нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; PG-HDSOP-16; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; PG-HDSOP-16; автомобільна галузь

729,22 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
PG-HDSOP-16
Монтаж:
SMD