1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,8А; Idm: 28А; 4,2Вт; SOT223

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,8А; Idm: 28А; 4,2Вт; SOT223
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMT07N10TS
27,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMT07N10TS
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 14,2нКл
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 88мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 4,2Вт
Струм стока: 6,8А
Струм стоку в імпульсі: 28А
Тип транзистора: N-MOSFET
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 20AWG; ПВХ; білий; 300В; 305м
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 20AWG; ПВХ; білий; 300В; 305м

20829,98 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид кабелю:
HookUp Wire
Недоступний
Пінцет: прямий; 115мм; для точних робіт; Форма кінц.леза: гострі
Пінцет: прямий; 115мм; для точних робіт; Форма кінц.леза: гострі

1268,37 грн

Використання інструментів:
для точних робіт
Довжина пінцета:
115мм
Тип інструмента:
пінцет
Тип пінцета:
прямий
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 3,3ВDC; Uвих.2: -5ВDC; Iвих: 100мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 3,3ВDC; Uвих.2: -5ВDC; Iвих: 100мА

374,43 грн

Вихідна напруга:
5В
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,1А
Вхідна напруга:
3,3В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 866Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 866Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%

14,51 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 13,7кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В
Резистор: thin film; 13,7кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В

1,87 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 5,36Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 5,36Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷125°C

0,07 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; 200В; -55÷125°C

0,66 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD