Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; Idm: 180А; 180Вт; DPAK

Немає в наявності
Код товару: TK60S10N1L,LQ(O
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: TK60S10N1L,LQ(O
Виробник: TOSHIBA
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 60нКл
Корпус: DPAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 5,14мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 180Вт
Струм стока: 60А
Струм стоку в імпульсі: 180А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Випрямний міст: трифазний; Urmax: 1кВ; If: 100А; Ifsm: 1,5кА; mодуль
Випрямний міст: трифазний; Urmax: 1кВ; If: 100А; Ifsm: 1,5кА; mодуль

5454,26 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1кВ
Корпус:
M50
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Недоступний
Резистор: thick film; 48,7кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 48,7кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,57 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
48,7кОм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; THT; 2mm
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; THT; 2mm

9,12 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
20
Транзистор: PNP; біполярний; Darlington; 40В; 0,1А; 0,3Вт; TO92
Транзистор: PNP; біполярний; Darlington; 40В; 0,1А; 0,3Вт; TO92

31,04 грн

Вид транзистора:
Darlington
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 8,87Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 8,87Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5ВDC; Uвих: 0,8÷5ВDC; 1А; SMD
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5ВDC; Uвих: 0,8÷5ВDC; 1А; SMD

99,47 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
0,8...5В DC
Вихідний струм:
1А
Недоступний
Резистор: thick film; 20кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; ERJS06F
Резистор: thick film; 20кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; ERJS06F

2,92 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD